除去剩余光致抗蚀剂和残留侧壁钝化物的原位后蚀刻方法

摘要

一种在单个蚀刻室内进行金属蚀刻、蚀刻掩模剥离以及除去残留侧壁钝化物的方法。晶片放置在蚀刻室内。对晶片进行金属蚀刻。将例如氧气和氩气的混合气体的剥离气体提供到蚀刻室，并激发形成氧等离子体。氧等离子体从晶片剥离掉蚀刻掩模并除去残留侧壁钝化物。氧等离子体也清洁了蚀刻室。