机译:硅极渗透等离子能蚀刻后上侧壁蚀刻残留物的特性
Korea Univ Dept Control & Instrumentat Engn Sejong 30019 South Korea;
Hanseo Univ Dept Aeronaut Comp Engn Seosan 31962 South Korea;
Korea Univ Dept Control & Instrumentat Engn Sejong 30019 South Korea;
Etching residue; Sidewall chemistry; Nanopattern; X-ray photoelectron spectroscopy;
机译:在常规反应离子刻蚀工具中使用SF_6 / O_2等离子刻蚀控制硅过孔的侧壁斜率
机译:碱性溶液中的硅各向异性刻蚀IV有机和无机试剂对硅各向异性刻蚀工艺的影响
机译:具有垂直和光滑侧壁的各向异性硅纳米结构制造各向异性硅纳米结构的蚀刻方法
机译:具有光滑49°侧壁的硅空腔的对准不敏感各向异性蚀刻
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:异丙醇浓度和刻蚀时间对低电阻晶体硅晶片湿化学各向异性刻蚀的影响
机译:利用扩展热等离子体技术进行高速各向异性硅刻蚀
机译:电感耦合等离子体(ICp)干蚀刻中三氯化硼/氯气体分子外延生长p型氮化铝镓的刻蚀特性及表面分析