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【24h】

InP-nanocrystal monolayer deposition onto silicon-on-insulator structures

机译:InP纳米晶体单层沉积到绝缘体上硅结构上

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摘要

We demonstrate, for the first time, the deposition of an InP nanocrystal monolayer onto a processed silicon-on-insulator substrate containing nanophotonic devices. From the first results, propagation losses of 1.7 dB/mm were obtained for wires coated with InP nanocrystals compared to 0.26 dB/mm for the uncoated case.
机译:我们首次展示了将InP纳米晶体单层沉积到包含纳米光子器件的经过处理的绝缘体上硅衬底上的过程。从最初的结果来看,InP纳米晶体涂层的导线的传播损耗为1.7 dB / mm,而未涂层的导线的传播损耗为0.26 dB / mm。

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