MOSFET; silicon-on-insulator; system-on-chip; silicon; elemental semiconductors; vertically stacked poly-Si MOSFET; partially depleted SOI operation; densely integrated SoC applications; grain boundaries; Si;
机译:低温操作中晕圈注入对0.13μm浮体部分耗尽的SOI n-MOSFET的影响
机译:部分耗尽的SOI与受N阱保护的体硅MOSFET相比:针对低压低功率应用的高温RF研究
机译:用于高功率射频开关应用的部分耗尽型SOI MOSFET的特性和优化
机译:一种新的垂直堆叠多Si MOSFET,具有部分耗尽的SOI操作,用于密集集成SOC应用
机译:适用于部分耗尽型绝缘体上硅(SOI)MOSFET的面积有效体接触。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:垂直mOsFET在从局部耗尽到完全耗尽工作期间的耗散隔离效应