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Influence of surface structure on electrical characteristics in SiC MESFETs

机译：表面结构对SiC MESFET电学特性的影响

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In this paper, the influence of surface structure on SiC MESFETs has been studied by investigating electrical characteristics, such as DC, small signal, and large signal characteristics. Three different structures have been fabricated and compared with each other:channel-recessed, gate-recessed, and buried gate structures.

机译：本文通过研究电学特性，例如直流，小信号和大信号特性，研究了表面结构对SiC MESFET的影响。已制造出三种不同的结构并将其相互比较：沟道凹入式，栅极凹入式和埋入式栅极结构。

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来源
《》|2003年|p.77-78|共2页
会议地点
作者
Ho-Young Cha; Thomas; C.I.; Eastman; L.F.; Spencer; M.G.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
silicon compounds; wide band gap semiconductors; semiconductor epitaxial layers; power MESFET; surface structure; surface structure; electrical properties; SiC MESFETs; small signal; DC; large signal; channel-recessed structures; gate-recessed structures;

机译：硅化合物;宽带隙半导体;半导体外延层;功率MESFET;表面结构;表面结构;电性能; SiC MESFETs;小信号; DC;大信号;沟道凹陷结构;栅极凹陷结构;

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