5-nm-order electron-beam lithography for nanodevice fabrication

机译：用于纳米器件制造的5纳米级电子束光刻

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In this paper, electron beam lithography for nanodevice fabrication was studied. SEM micrographs of 30 nm thick HSQ resist are shown.

机译：本文研究了用于纳米器件制造的电子束光刻技术。显示了30 nm厚的HSQ抗蚀剂的SEM显微照片。

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来源
《》|2003年|p.162-163|共2页
会议地点
作者
Yamazaki; K.; Namatsu; H.;
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原文格式 PDF
正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
electron resists; nanotechnology; organic compounds; scanning electron microscopy; electron-beam lithography; nanodevice fabrication; SEM; HSQ resist; 5 nm; 30 nm;

机译：电子抗蚀剂;纳米技术;有机化合物;扫描电子显微镜;电子束光刻;纳米器件制造; SEM; HSQ抗蚀剂; 5 nm; 30 nm;

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