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用于纳米级芯片制造的基于单晶圆LPCVD工艺

         

摘要

低压化学气相沉积(LPCVD)是化学气相沉积(CVD)的一个分支,同时也是半导体集成电路制造工艺中必不可少的重要工序之一。它主要用于多晶硅及其原位掺杂、氮化硅、氧化硅以及钨化硅等薄膜的生长。其基本原理是将一种或数种物质的气体,在低气压条件下,以热能的方式激活,发生热分解或化学反应,在衬底(如硅晶圆)表面沉积所需的固体薄膜。

著录项

  • 来源
    《集成电路应用》 |2009年第6期|47-48|共2页
  • 作者

    赵智彪;

  • 作者单位

    应用材料(中国)公司;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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