EPROM; CMOS memory circuits; semiconductor device breakdown; MOSFET; FLOTOX EEPROM cell; nonvolatile memory; high voltage transistors; thin tunnel oxide; stacked poly gates; programming voltage; high voltage NMOS; drain junction breakdown voltage; thresh;
机译:Flatox EEPROM单元中已编程窗口的分析建模
机译:用于在FLOTOX EEPROM单元中编程窗口退化的模型
机译:双位/单元SONOS闪存EEPROM:通道工程对编程速度和位耦合效果的影响
机译:编程速度表征0.6μmflotox EEPROM细胞
机译:陷阱的产生和在二氧化硅中的降解及其对FLOTOX EEPROM单元的影响。
机译:RhoGAP SPIN6与SPL11和OsRac1相关联并负调控水稻的程序性细胞死亡和先天免疫力
机译:16k FLOTOX EEPROM单元的ONO和隧道氧化物的制备与表征
机译:28C256 EEpROm的辐射特性。