Ge-Si alloys; BiCMOS integrated circuits; amplifiers; integrated optoelectronics; photodiodes; optical receivers; integrated circuit packaging; transimpedance gains; bandwidths; test environment; packaged; photodiode; simulated results; SiGe HBT BiCM;
机译:用于BiCMOS技术的SiGe HBT:II。设计,技术和性能
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机译:用于使用SiGe HBT BICMOS技术设计的OC-768应用的跨阻抗放大器
机译:使用SiGe HBT BiCMOS技术的高速串行电路。
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机译:SiGe BiCMOS技术中的毫米波功率放大器概念可用于研究HBT物理限制