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基于SiGe BiCMOS的有源反馈共射共基跨阻放大器

摘要

本发明涉及一种基于SiGe BiCMOS的有源反馈共射共基跨阻放大器,包括电流源和电容、辅助放大器及主放大器,其中,主放大器采用共射共基结构;电流源与电容并联提供光电流的输出,输出端与主放大器共射管的基级相连,另一端接地;辅助放大器采用带负载的共射放大器结构,其输入端接在主放大器共射管的集电极和共基管的发射级上,信号流入辅助放大器所在支路上,经由辅助放大器共射管的进一步放大后,流回主放大器的共基管的基级上,形成有源反馈,以提高主放大器共基管的发射级和基级间的电压。

著录项

  • 公开/公告号CN107749743A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-03-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201710937100.0

  • 发明设计人 谢生;武懿;毛陆虹;

    申请日2017-10-10

  • 分类号

  • 代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人程毓英

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-06-19 04:40:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F1/32 申请日:20171010

    实质审查的生效

  • 2018-03-02

    公开

    公开

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