法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-28
授权
授权
2016-04-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H03F1/22 申请日:20151221
实质审查的生效
2016-03-23
公开
公开
技术领域:
本发明涉及模拟集成电路,尤其涉及光纤通信领域跨阻放大器的技术。
背景技术:
在光接收模块中低面积,低成本,高带宽,高跨阻增益的跨阻放大器在其中 扮演了一个重要的角色。
最近几年,前馈共栅结构的跨阻放大器因为克服了采用的RGC(Regulated Cascode)结构固有的电压裕度消耗大的缺点,实现了高带宽、高增益、低噪声 前置放大电路的设计。但是跨阻增益与带宽之间会存在一定的制约关系,无法在 带宽不受影响的情况下,提高的跨阻增益。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:现有的前馈共栅结构的跨阻放大器无法在带宽 不受影响的情况下,提高的跨阻增益。
为解决上述问题,本发明采用的技术方案是:具有有源电感结构的前馈共栅 跨阻放大器电路,包括前馈共栅跨阻放大器电路和有源电感电路;所述前馈共栅 跨阻放大器电路的输出端依次串联上拉电阻R1和有源电感电路后,连接电压电 源;所述前馈共栅跨阻放大器电路包括输入电源、NMOS晶体管M1、NMOS晶 体管M2、NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4;输入电源包括并联的电流源 和电容,其输出端分别连接NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2的源极,以 及NMOS晶体管M4的漏极;NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2的源极为 信号输入端,NMOS晶体管M1的漏极连接上拉电阻R1,NMOS晶体管M2的 漏极连接上拉电阻R2,为NMOS晶体管M3栅极的偏置;NMOS晶体管M3的 漏极连接上拉电阻R3,为NMOS晶体管M1栅极的偏置;NMOS晶体管M4的 源极接地,NMOS晶体管M4的栅极和NMOS晶体管M2的栅极均连接电压电 源Vb;上拉电阻R2和上拉电阻R3均连接电源电压VDD2;所述有源电感电路 包括电阻R4和NMOS晶体管M5,NMOS晶体管M5的栅极连接电阻R4,源 极连接上拉电阻R1,漏极连接电源电压VDD1。
本发明的优点:本发明采用的是有源电感的结构,缓解了跨阻增益与带宽之 间的制约关系。在相同工作带宽的同时可以获得更大的跨阻增益。因为采用的是 有源电感,并没有增大版图的面积。
附图说明
图1是现有的FCG跨阻放大器电路图。
图2是本发明电路图。
图3是本发明有源电感的等效模型。
具体实施方式
如图1所示,现有的FCG跨阻放大器的小信号等效电路,其跨阻增益的传输函 数如下所示:
从公式可以得出,提高跨阻增益的办法主要就是提高M1漏极的电阻。但是 增大漏极电阻R1会导致主极点的改变,当输出端的极点接近输入端的极点的时 候,带宽就会受到很大的影响。
如图2-3所示,具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器包括五个NMOS 晶体管M1,M2,M3,M4,M5,其中M1(M2)源极是信号的输入,M3的漏 极和M2的漏极分别连接电阻R3和R2,M1的漏极连接R1和M5及R4组成的 有源电感,而同时M2的漏极和M3的漏极分别作为M3和M1栅极的偏置。电 源电压VDD1的大小为2.5V,VDD2的大小为1.8V,Vb的大小为0.9V,可以通过 外加直流偏置电压,或者带隙基准电源提供,这里不再赘述。有源电感的结构如 图3所示,等效电感从Vin看上去L的大小为:
等效电感和电阻的串联等于构成了并联峰化,可以在大电阻的情况下,保持 带宽的不变。
本发明在不改变带宽的情况下,引入了有源电感与电阻串联作为M1漏极负 载的结构。M1的漏极负载可以等效为一个更大的电阻串联电感,在获得更大的 跨阻增益的同时,等效的串联电感同时抑制了输出极点对于整个带宽的影响。
机译: 具有跨阻放大器电路的方法和系统,该跨阻放大器电路具有用于监视光接收器电路的差分电流监视装置
机译: 具有高输入过载和/或可调跨阻的共基放大器
机译: 具有可变电感输入的跨阻放大器,可降低增益的峰值变化