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机译:共基和共发射SiGe BHT放大器中衬底寄生效应的分析研究
机译:D波段SiGe BICMOS功率放大器,具有16.8dBmp₁db和17.1%pae,通过多个公共阶段的电流钳制增强
机译:具有0.18μmSiGe HBT技术的增益提升和级间自匹配功能的D波段共基放大器
机译:具有有效抑制寄生衬底效应的倒装芯片封装共面94 GHz放大器模块
机译:共发射极和共基双极晶体管表现出的不同RF特性的分析解释SiGe HBT示例
机译:嗅黄蜂在寄生蜂中的作用机理:寄生虫(小头菌)和普通寄生虫(Cotesia marginiventris)对宿主相关气味的响应的分析和行为研究。
机译:寄生成分影响下硅光电倍增器的前端电路的分析研究
机译:共碱基和共氨基SiGe BHT放大器基底寄生效应的分析研究