首页> 外文学位 >High-Speed Serial Circuits Using SiGe HBT BiCMOS Technology.
【24h】

High-Speed Serial Circuits Using SiGe HBT BiCMOS Technology.

机译:使用SiGe HBT BiCMOS技术的高速串行电路。

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

著录项

  • 作者

    Clarke, Ryan.;

  • 作者单位

    Rensselaer Polytechnic Institute.;

  • 授予单位 Rensselaer Polytechnic Institute.;
  • 学科 Electrical engineering.;Computer engineering.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 2015
  • 页码 204 p.
  • 总页数 204
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号