机译:带有辅助氧注入的SIMOX埋藏氧化物的电荷俘获和输运性质
机译:通过补充注入氧气减少SIMOX中的电荷陷阱和电子隧穿
机译:补充O注入对SIMOX埋藏氧化物中辐射致空穴陷阱的影响
机译:通过基于沟道的电荷注入的孔阱在补充氧SIMOX晶片中的研究
机译:CMOS VLSI和EEPROMs绝缘子中电离辐射诱导的电荷陷阱和界面陷阱产生的研究。
机译:DNa的单电子氧化通过电离辐射:基极 - 基极的空穴传输性和空穴俘获之间的竞争
机译:用光感应瞬态电流谱研究SIMOX膜中的俘获性能
机译:ZmR(区域熔化 - 再结晶)和sImOX(氧注入)sOI(绝缘体上硅)mOsFET中的栅极氧化物泄漏和电荷俘获的研究