机译:高功率和高亮度InGaAs-InGaAsP-AlGaAs量子阱二极管激光器的设计考虑和性能(/ spl lambda / = 0.98 / spl mu / m)
机译:带有GaInP埋入式波导的0.98-1.02μm应变InGaAs / AlGaAs双量子阱高功率激光器
机译:具有GaAs-InGaP超晶格光学限制层的0.98- / spl mu / m InGaAs-InGaP应变量子阱激光器
机译:0.98 / SPL MU / M波长INGAAS / GAAS / ALGAAS紧张量子 - 孔激光二极管具有高可靠性
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:光栅调谐CW单频外腔应变量子阱InGaas / alGaas Grinsch二极管激光器光谱线宽的波长依赖性
机译:Gaas键合层在提高应变层InGaas / alGaas量子阱二极管激光器OmVpE生长和性能中的作用