机译：GaAs衬底上0.4μm门变质In / sub 0.29 / Al / sub 0.71 / As / In / sub 0.3 / Ga / sub 0.7 / As HEMT的微波性能
机译：在GaAs衬底上生长的无应变In / sub 0.3 / Ga / sub 0.7 / As / In / sub 0.29 / Al / sub 0.71 / As场效应晶体管
机译：GaAs基板上不受应变的In / sub 0.3 / Ga / sub 0.7 / As / In / sub 0.29 / Al / sub 0.71 / As掺杂沟道FET增强了器件性能
机译：在/亚/亚/ al / sub 0.71 / AS / IN / sum 0.3 / GA / sub 0.7 /作为在GAAs基材上生长的异质结构，具有变质缓冲器设计
机译：快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译：变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应：光敏器件的表征和设计解决方案
机译：通过金属有机气相外延生长的al0.3Ga0.7as缓冲层改善亚微米栅极Gaas mEsFET的性能
机译：变质HBT：在Gaas衬底上生长的Inp / InGaas / Inp器件。
