机译:在吸收性InGaAsP波纹上生长的具有InGaAlAs MQW的1.3μm增益耦合DFB激光器
机译:具有通过气体源分子束外延生长的InGaAsP引导层的InGaAs / InGaAlAs MQW激光器
机译:集成了InGaAlAs-InP和InGaAsP-InP MQW电吸收调制器且集成了半导体放大器的10 Gb / s激光模块的非制冷性能
机译:Ingaas / IngaAsp和Ingaas / Ingaalas SCMQW激光结构的增益和吸收
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:MBE制备的I型InGaAsSb双量子阱激光结构的PCSEL性能
机译:InGaAsp / IngaASP MQW DCPBH激光器的制造和调制特性在λ~1.57μm
机译:InGaasp光子晶体激光器中量子阱和阱增益峰之间光谱对准的阈值独立性和腔谐振