The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan;
机译:表面活化键合方法在锗晶片上进行室温直接键合
机译:通过表面活化结合(SAB)方法直接结合CMP-Cu膜
机译:通过表面活化结合(SAB)方法直接结合CMP-Cu膜
机译:在室温下使用表面活性粘合(SAB)方法将聚合物直接粘合到玻璃晶片中
机译:表面活化增强了低温硅晶圆键合。
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:用表面活性键合(SAB)法接触CMP-Cu薄膜室温直接粘合真空条件的影响