AlN/GaN/AlGaN Coupled Quantum Wells for Short-Wavelength Intersubband Devices

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• 来源
  《LEOS Annual Meeting Conference Proceedings, 2007 IEEE》|2007年|P.900-901|共2页
• 会议地点 Lake Buena VistaFL
• 作者

  Driscoll; K.; Bhattacharyya; A.; Moustakas; T.D.; Paiella; R.;

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• 关键词

  III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium compounds; molecular beam epitaxial growth; optical couplers; semiconductor quantum wells; wide band gap semiconductors; AlN-GaN-AlGaN; double quantum wells; interwell optical coupling; molecular beam epitaxy; shor;

  机译：III-V半导体；铝化合物镓化合物分子束外延生长；光耦合器；半导体量子阱；宽带隙半导体； AlN-GaN-AlGaN;双量子阱；井间光耦合分子束外延or;