机译:设计应变平衡的GaN / alGaN量子阱结构:应用于1.3和1.55μm波长的子带间器件
机译:使用新型InGaAs-AlAsSb-InP耦合双量子阱结构进行亚带间跃迁,以1.3 / spl mu / m / 1.55 / spl mu / m的超快全光切换
机译:新型耦合的InGaAs-AlAsSb双量子阱结构中子带间跃迁为1.3和1.55 / spl mu / m
机译:用于λ= 1.55μm的100 Gb / s应用的非线性全光学GaN / AlGaN多量子阱器件
机译:短波长(1.3 / spl mu / m> / spl lambda /> 2 / spl mu / m)子带间吸收的GaN / AlGaN量子阱和布拉格约束结构的设计和优化
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:用于光电应用的半极性alGaN / GaN单量子阱中晶体取向依赖的子带间跃迁
机译:用于近红外量子阱光电探测器的GaN / alGaN应变平衡异质结构