Nano-SOI Process Laboratory, Hanyang University, 17 Haengdang-Dong, Seoungdong-Gu, Seoul 133-791, Korea;
CMP; slurry; ceria; abrasive; surfactant; nanotopography;
机译:纳米形貌对浅沟槽隔离化学机械抛光中二氧化铈浆料中磨料尺寸和表面活性剂浓度的影响
机译:浅沟槽隔离化学机械抛光(STI-CMP)中二氧化铈浆料的纳米形貌影响和非Prestonian行为
机译:纳米形貌对浅沟隔离化学机械抛光的影响-分析方法及耗材依赖
机译:纳米术在浅沟隔离化学机械抛光依赖性对浆料特性的影响
机译:二氧化硅,钨和浅沟隔离化学机械平面化工艺与垫微纹理,调节圆盘型和年龄,摩擦学,流体动力学和动力学相关的新型研究
机译:化学机械平面化过程中浆料混合程度和可用性的浆料注入方案
机译:纳米复印件对浅沟槽隔离化学机械抛光的表面活性剂加入对烟雾二氧化硅和二氧化硅浆料的依赖性