Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Science and Engineering, Saga University, 1 Honjo, Saga, Japan 840-8502;
Synchrotron Light Application Center, Saga University, 1 Honjo, Saga, Japan 840-8502;
P-doped ZnTe; homoepitaxy; surface morphology; MOVPE;
机译:退火后对MOVPE生长的P掺杂ZnTe同质外延层的电和光学性能的影响
机译:后退火对MOVPE生长的掺磷ZnTe同质外延层的影响
机译:腔室压力和SI掺杂对MOVPE生长的主页(100)β-GA2O3薄膜表面形态和电性能的影响
机译:(100)ZNTE的表面形态:P层通过水平MOVPE技术进行主页
机译:具有理想氢终止作用的化学蚀刻新表面清洁技术:silcon(111)和硅(100)表面的表面化学和形态。
机译:高温处理后的纳米织构4H–SiC同质外延层的表面演变:形貌表征和石墨烯生长
机译:在VGF生长的(100)ZnTe:P晶片上通过金属有机气相外延生长的ZnTe同质外延层的研究