Ultra-Low-Loss Power Device Technology Research Body;
4H-SiC; buried channel; channel mobility; MOSFETs; oxidation; threshold voltage;
机译:通过超高温栅极氧化和低氧分压冷却提高4H-SiC n-MOSFET的沟道迁移率
机译:通过硼钝化提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率
机译:利用磷掺杂的栅氧化物改善Si面上4H-SiC MOSFET的反向沟道迁移率
机译:基于氧化物/ 4H-SiC界面迁移模型的埋沟道4H-SiC MOSFET沟道工程
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:具有外延沟道结构的4H-siC p沟道mOsFET
机译:具有高迁移率的常闭4H-siC沟槽栅极mOsFET(预印刷)