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一种改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法

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一种改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法，包括以下步骤：首先将SiC MOSFET器件基片表面清洗；之后进行离子注入；之后表面形成碳保护膜；之后进行去除表面碳膜处理；之后进行SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-29

授权

授权
2018-05-04

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/04 登记生效日:20180416 变更前: 变更后: 申请日:20150505

专利申请权、专利权的转移
2018-05-04

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/04 登记生效日:20180416 变更前: 变更后: 申请日:20150505

专利申请权、专利权的转移
2015-11-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/04 申请日:20150505

实质审查的生效
2015-11-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/04 申请日:20150505

实质审查的生效
2015-11-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/04 申请日:20150505

实质审查的生效
2015-09-02

公开

公开
2015-09-02

公开

公开
2015-09-02

公开

公开

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1. 一种改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法 [P] . 中国专利： CN104882367B . 2019.03.29
2. 一种改善SiC MOSFET器件沟道迁移率的方法 [P] . 中国专利： CN104882367A . 2015-09-02
3. SIC DUAL-TRENCH MOSFET DEVICE HAVING INTEGRATED SCHOTTKY DIODE AND PREPARATION METHOD THEREFOR [P] . 世界知识产权组织专利： WO2018161412A1 . 2018-09-13

机译：具有集成肖特基二极管的SIC双沟道MOSFET器件及其制备方法
4. P-Channel FET Whose Hole Mobility is Improved by Applying Stress to the Channel Region and a Method of Manufacturing the Same [P] . 美国专利： US2008251842A1 . 2008-10-16

机译：通过对沟道区域施加应力来改善空穴迁移率的P沟道FET及其制造方法
5. The method of improving carrier mobility in CMOS (compression SiGe110 growth and structure of the MOSFET device) [P] . 日本专利： JP2008504695A . 2008-02-14

机译：改善CMOS中载流子迁移率的方法（压缩SiGe <110>的生长和MOSFET器件的结构）