Araca, Inc., Tucson, AZ, USA;
chemical mechanical polishing; semiconductor technology; slurries; CMP; SIS; chemical mechanical polishing; defect reduction; dilution; enhanced material removal; material removal rate; pad center area slurry application method; slurry film; slurry flow; slurry injection system; slurry mixing; wafer-level polishing defect; Applicators; Films; Planarization; Slurries; Standards; Tungsten;
机译:新型浆料注入系统可改善CMP中的浆料流量并减少缺陷
机译:浆料注射系统位置对浅沟槽隔离化学机械平坦化使用二氧化铈浆料的去除率的影响
机译:各种浆料注射系统配置对二氧化铈化学机械平坦化浆料的二氧化硅去除率的影响
机译:新型浆料注入系统可改善CMP中的浆料流量并减少缺陷
机译:CMP过程中的磨料颗粒轨迹和材料去除不均匀性以及CMP浆料的过滤特性-模拟和实验研究。
机译:化学机械平面化过程中浆料混合程度和可用性的浆料注入方案
机译:新型浆料注入系统改善了浆料流动和减少Cmp的缺陷