Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), and Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University, North 13 West 8, 060-8628 Sapporo, Japan;
metal-insulator-semiconductor structures (including semiconductor-to-insulator); interfaces; heterostructures; nanostructures;
机译:介电膜对GaN和GaN / AlGaN异质结构的表面钝化及其在绝缘栅异质晶体管中的应用
机译:使用Cat-CVD SiN栅极绝缘层和钝化层的f {sub} T为163 GHz的AlGaN / GaN MIS-HFET
机译:使用开栅结构评估AlGaN / GaN HFET的表面状态
机译:基于ALAG / GAN HFET的基于AL_2O_3的表面钝化和绝缘栅极结构
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:介电膜对GaN和GaN / AlGaN异质结构的表面钝化及其在绝缘栅异质晶体管中的应用
机译:中子辐照对alGaN / GaN HFET影响的原位栅极偏置相关研究