Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.;
electroluminescence; III-V semiconductors; methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy; light-emitting devices;
机译:激光剥离技术制备的垂直发射波长为322 nm的AlGaN深紫外发光二极管
机译:通过改进的激光剥离工艺制造并转移到GaN的GaN基薄膜垂直结构发光二极管
机译:通过改进的激光剥离工艺制造并转移到GaN的GaN基薄膜垂直结构发光二极管
机译:基于垂直的INGAN的蓝色发光二极管,采用激光剥离技术制造镀金属底座
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:蓝激光成像蓝光成像以及带发光二极管(LED)和LASER内窥镜的链接彩色成像的息肉检测和肿瘤表征功效
机译:激光剥离对InGaN / GaN垂直蓝光发光二极管光学和结构特性的影响
机译:基于宽带隙II-VImaterials的蓝绿色发光二极管和激光器