利用激光剥离技术制造发光二极管的方法和激光剥离装置

摘要

本发明公开了一种利用激光剥离技术制造发光二极管的方法。所述方法包括以下步骤：在第一基板上生长外延层，所述外延层包括第一导电类型化合物半导体层、活性层和第二导电类型化合物半导体层；在高于室温的第一基板的第一温度，将与第一基板的热膨胀系数不同的第二基板结合到外延层；在高于室温但不高于第一温度的第一基板的第二温度，通过使激光束辐照通过第一基板，将第一基板与外延层分离。因而，在激光剥离过程中，可以容易地实现对激光束的聚焦，并且防止外延层破裂或折断。本发明还公开了一种包括加热器的激光剥离装置。