机译:使用自动分流激光剥离技术制造垂直结构的GaN基发光二极管
Department of Electronic Engineering Xiamen University Xiamen 361005 People's Republic of China;
Pen-Tung Sah Institute of Micro-Nano Science and Technology Xiamen University Xiamen 361005 People's Republic of China;
Department of Mathematics and Physics Xiamen University of Technology Xiamen 361024 People's Republic of China;
机译:使用自动分流激光剥离技术制造垂直结构的GaN基发光二极管
机译:选择性镍电镀和图案化激光剥离技术制备无划片的垂直结构大功率GaN基发光二极管
机译:选择性镍电镀和图案化激光剥离技术制备无划片的垂直结构大功率GaN基发光二极管
机译:具有选择性镍电镀和图案激光剥离技术的高功率垂直GaN的发光二极管的制造
机译:利用外延剥离技术开发热电冷却的IV-VI半导体二极管激光器。
机译:无需预激活p型GaN的GaN基发光二极管的制造和表征
机译:无需预激活p型GaN的GaN基发光二极管的制造和表征