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Mukai T; Nagahama S; Iwasa N; Senoh M; Matsushita T; Sugimoto Y; Kiyoku H; Kozaki T; Sano M; Matsumura H; Umimoto H; Chocho K;
Nitride Semiconductor Research Laboratory;
InGaN; 发光二极管; 激光二极管;
机译:利用激光剥离和晶圆键合方案的双色InGaN基白色发光二极管
机译:具有插入的InGaN / GaN渐变超晶格层的InGaN / GaN基绿色发光二极管
机译:使用nikel纳米掩模和干法刻蚀InGaN基发光二极管形成纳米棒InGaN / GaN多量子阱
机译:使用激光剥离技术制造的具有电镀金属基底的垂直InGaN基蓝色发光二极管
机译:半极性(2021)蓝色和绿色InGaN基激光二极管的应力工程。
机译:梯度铟成分p型InGaN层增强GaN基绿色发光二极管的量子效率
机译:交错InGaN量子阱发光二极管提高辐射效率。
机译:使用激光剥离技术制造GaN基发光二极管的方法和由此制造的发光二极管
机译:使用镍基固溶体在发光二极管和激光二极管中形成欧姆接触的薄膜电极及其制造方法,用于制造高性能氮化镓基光学器件
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