Department of Physics, University of Aveiro, 3810 Aveiro, Portugal;
机译:重硼掺杂对Si_(1-x)Ge_x / Si界面价带偏移和Si_(1-x)Ge_x带隙的影响
机译:在肖特基源极/漏极晶体管的重硼掺杂Si_(1-x)Ge_x衬底上形成Ni(Pt)锗硅化物触点
机译:器件兼容的砷化镓在具有薄(〜80 nm)Si_(1-x)Ge_x台阶缓变缓冲层的硅衬底上的分子束外延生长,用于高κⅢ-Ⅴ型金属氧化物半导体场效应晶体管的应用
机译:评价NM厚的硼掺杂Si_(1-X)Ge_x层的红外吸收硅
机译:有限元模拟掺硼硅层的固相外延生长。
机译:重掺杂硼的硅层用于纳米级热电器件的制造
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型