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International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE
International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE
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1.
TiAl_3: A CONTRIBUTORY FACTOR IN DELAYING ELECTROMIGRATION FAILURE
机译:
TiAl_3:延迟电沉积故障的一个重要因素
作者:
A Pagetti
;
G Pavia
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
2.
TUNNELLING STATISTICS AND THE MANUFACTURABILITY OF SEMICONDUCTOR TUNNEL DEVICES
机译:
隧道统计和半导体隧道设备的可制造性
作者:
R K Hayden
;
M J Kelly
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
3.
STUDIES OF THE FORMATION OF GA AND AL NANOWIRES ON SI(112) FACET SURFACES
机译:
SI(112)面表面GA和Al纳米线形成的研究
作者:
SM Prokes
;
OJ Glembocki
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
4.
RAMAN ACTIVE E_2 MODES IN ALUMINIUM NITRIDE FILMS
机译:
氮化铝膜中的拉曼活性E_2模式
作者:
I.C.Oliveira
;
C.Otani
;
H.S.Maciel
;
M. Massi
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
关键词:
aluminium nitride;
raman spectroscopy;
magnetron sputtering;
5.
NOVEL FABRICATION METHODS FOR SUBMICRON JOSEPHSON JUNCTION QUBITS
机译:
亚微米约瑟夫逊结量子位的新型制造方法
作者:
A Potts
;
PR Routley
;
GJ Parker
;
JJ Baumberg
;
E Di Nicolo
;
PAJ de Groot
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
6.
OPTICAL MEASUREMENT OF BULK RECOMBINATION LIFETIME IN HIGH-INJECTION REGIME
机译:
大剂量注射系统中大块复合寿命的光学测量
作者:
Stefania Campopiano
;
Andrea Irace
;
Luigi Sirleto
;
Gianfranco Vitale
;
Luigi Zeni
;
Antonello Cutolo
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
7.
OPTICAL CHARACTERISATION OF ZnO
机译:
ZnO的光学表征
作者:
C. Gaspar
;
F. Costa
;
T. Monteiro
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
8.
Optimisation of titanium silicide performance beyond 0.2 μm
机译:
超过0.2μm的硅化钛性能优化
作者:
Eric Gerritsen
;
Marie-Therese Basso
;
Jos Guelen
;
Gabriel Pares
;
Bruno Baylac
;
Joel Schmitt
;
Frederic Giovannoni
;
Walter de Coster
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
9.
GROWTH AND CHARACTERIZATION OF SHAPE MEMORY ALLOY THIN FILMS FOR Si M1CROACTUATOR TECHNOLOGIES
机译:
Si M1致动器技术的形状记忆合金薄膜的生长和表征
作者:
N. Yaakoubi
;
C. Serre
;
S. Martinez
;
A. Perez-Rodriguez
;
J.R. Morante
;
J. Esteve
;
J. Montserrat
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
10.
STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF ION BEAM SYNTHESYSED POLYCRISTALLINE SIC ON SIO_2
机译:
SIO_2上离子束合成多晶SIC的结构表征
作者:
C. Serre
;
A. Perez-Rodriguez
;
A. Romano-Rodriguez
;
J.R. Morante
;
J. Esteve
;
M.C. Acero
;
R. Koegler
;
W. Skorupa
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
11.
THE EFECT OF THE INTERFACE GRAIN BOUNDARIES ON THE OPTOELECTRICAL CHARACTERISTICS AT THE MULTILAYER HETEROSTRUCTURES BASED ON POLYCRYSTALLINE SILICON, II-VI COMPOUNDS AND PHOTOSYNTHETIC PIGMENTS
机译:
基于多晶硅,II-VI族化合物和光合色素的多层异质结界面晶界对光电特性的影响
作者:
MAGDA GHERGHEL
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
12.
THE INFLUENCE OF THE LOCAL FIELD EFFECT ON THE SPECTROSCOPIC CHARACTERISTICS OF SIO_2 SOLID FILMS
机译:
局部场效应对SIO_2固体薄膜光谱特性的影响
作者:
II Shaganov
;
TS Perova
;
AR Moore
;
K Berwick
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
13.
THE 1D-ACAR SPECTROSCOPY OF THE OXYGEN-RELATED CENTERS IN Fz-Si and Cz-Si
机译:
Fz-Si和Cz-Si中与氧有关的中心的一维ACAR光谱
作者:
N. Yu. Arutyunov
;
V.Yn. Trashchakov
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
14.
IMPACT OF THE PREPARATION CONDITIONS ON STRUCTURE AND ELECTRICAL PERFORMANCES OF LOW K POLYMER (SILK)
机译:
制备条件对低K聚合物(丝)的结构和电性能的影响
作者:
JC Maisonobe
;
A Chabli
;
C Denaeyer
;
M Olivier
;
C Vergnaud
;
G Passemard
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
15.
INFLUENCE OF BORON IMPLANTATION DOSE ON THE MECHANICAL STRESS IN POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS
机译:
硼注入剂量对多晶硅膜机械应力的影响
作者:
M Nakabayashi
;
M Ikegami
;
H Ohyama
;
K Kobayashi
;
M Yoneoka
;
E Simoen
;
C Claeys
;
Y Takami
;
H Sunaga
;
H Takizawa
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
16.
FAILURE ANALYSIS OF LED ARRAYS USING WHITE BEAM SYNCHROTRON X-RAY TOPOGRAPHY
机译:
白光束同步回旋X射线断层摄影术分析LED阵列的故障
作者:
D. Lowney
;
P.J. McNally
;
P.A.F. Herbert
;
T. Tuomi
;
R. Rantamaeki
;
M. Karilahti
;
M. OHare
;
A.N. Danilewsky
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
17.
EFFECT OF NITRIDATION ON FOWLER-NORDHEIM TUNNELING PARAMETERS IN SiO_2 MOS CAPACITORS WITH WSi_2-POLYSILICON GATE
机译:
氮化处理对WSi_2-聚硅氧硅酸盐SiO_2 MOS电容器中Fowler-NORDHEIM隧穿参数的影响
作者:
S. Croci
;
C. Plossu
;
C. Dubois
;
B. Balland
;
P. Boivin
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
18.
ELECTRICAL AND PHYSICAL PROPERTIES OF POLYSILICON FILM RESISTORS MODIFIED BY EXCIMER LASER ANNEALING
机译:
准分子激光退火改性的多晶硅膜电阻的电学和物理性能
作者:
FM Soares
;
MR van den Berg
;
LK Nanver
;
CCG Visser
;
K Grimm
;
JW Slotboom
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
19.
ELECTRICAL CHARACTERISATION OF SHALLOW COBALT-SILICIDED JUNCTIONS
机译:
浅层钴硅化物结的电气特性
作者:
E Simoen
;
A Poyai
;
C Claeys
;
N Lukyanchikova
;
M Petrichuk
;
N Garbar
;
A Czerwinski
;
J Katcki
;
J Ratajczak
;
E Gaubas
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
20.
ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF DEEP LEVELS IN N AND P 6H-SiC SCHOTTKY DIODES
机译:
N和P 6H-SiC肖特基二极管中深层的电学表征
作者:
N. Sghaier
;
A. K. Souifi
;
J. M.Bluet
;
G. Guillot
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
21.
ELECTROLUMINESCENCE PROPERTIES AND CRYSTALLINE STRUCTURE OF THIN ZnS-Cu, Ga FILMS
机译:
ZnS-Cu,Ga薄膜的电致发光特性和晶体结构
作者:
VB Khomchenko
;
TG Kryshtab
;
PM Lytvyn
;
MO Mazin
;
OS Lytvyn
;
IV Prokopenko
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
22.
Characterisation of CVD Tungsten Deposited by Silane Reduction
机译:
硅烷还原沉积CVD钨的表征
作者:
M. F Bain
;
B. M. Armstrong
;
H. S. Gamble
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
23.
CHARACTERISATION OF COPPER CVD FILMS DEPOSITED USING COPPER(I) HEXAFLUOROACETYLACETONATETRIMETHYLVINYLSILANE - EFFECTS OF WATER VAPOUR AND POST ANNEALING
机译:
铜(I)六氟乙酰丙酮酸三甲基乙烯基硅烷沉积铜化学气相沉积膜的表征-水蒸气和后退火的影响
作者:
VSC Len
;
BHW Toh
;
DW McNeill
;
HS Gamble
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
24.
CHARACTERISATION OF BOROSILICATE GLASS AS A DOPANT SOURCE AND ITS APPLICATION FOR LOW-DOPED DRAIN PMOS DEVICES
机译:
硼硅酸盐玻璃作为掺杂源的表征及其在低掺杂PMOS器件中的应用
作者:
M Nolan
;
TS Perova
;
RA Moore
;
CE Beitia
;
JF McGilp
;
HS Gamble
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
25.
CHARACTERISATION OF SCREEN-PRINTED PIEZOELECTRIC FILMS
机译:
屏幕印刷压电薄膜的表征
作者:
DCS Bien
;
JY Lau
;
SJN Mitchell
;
HS Gamble
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
26.
CHARACTERISATION OF MORPHOLOGY AND DEFECTS IN SILICON-GERMANIUM VIRTUAL SUBSTRATES GROWN BY LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION
机译:
低压化学气相沉积法生长硅锗锗虚拟基质的形貌和缺陷
作者:
GDM Dilliway
;
AFW Willoughby
;
JM Bonar
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
27.
DEVELOPMENT OF ELECTROCHEMICALLY GROWN THIN ZnSe LAYERS AND p-n JUNCTION DEVICE STRUCTURES
机译:
电化学生长的薄ZnSe层和p-n结器件结构的发展
作者:
AP SAMANTILLEKE
;
IM DHARMADASA
;
J YOUNG
;
KA PRIOR
;
R BACEWICZ
;
A WOLSKA
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
28.
DISTRIBUTION OF BARRIER HEIGHTS IN W/Si_(1-x-y)Ge_xC_y SCHOTTKY DIODES
机译:
W / Si_(1-x-y)Ge_xC_y肖特基二极管中的障碍物高度分布
作者:
A.Hattab
;
M.Barthula
;
F.Meyer
;
P.Warren
;
J.Osten
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
29.
Al/Si CONTACTING OF ULTRA-SHALLOW EPITAXIALLY GROWN Si AND SiGe JUNCTIONS
机译:
超浅表观生长Si和SiGe结的Al / Si接触
作者:
Q.W. Ren
;
L.K. Nanver
;
C.C.G. Visser
;
J. W. Slotboom
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
30.
Band offsets and electron transport calculation for strained Si_(1-x-y)Ge_xC_y/Si heterostructures
机译:
Si_(1-x-y)Ge_xC_y / Si异质结构的能带偏移和电子输运计算
作者:
P Dollfus
;
S Galdin
;
HJ Osten
;
P Hesto
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
31.
C-V, DLTS AND CONDUCTANCE TRANSIENT CHARACTERISATION OF SiN_x:H/InP INTERFACE IMPROVED BY N_2 REMOTE PLASMA CLEANING OF THE InP SURFACE
机译:
N_2表面等离子体的N_2等离子体清洗改善了SiN_x:H / InP界面的C-V,DLTS和电导瞬态特性
作者:
H Castan
;
S Duenas
;
J Barbolla
;
E Redondo
;
I Martil
;
G Gonzalez-Diaz
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
32.
DIFFUSION OF BORON AND ANTIMONY IN SILICON-GERMANIUM AND SILICON UNDER THE INFLUENCE OF INJECTED POINT DEFECTS
机译:
注入点缺陷对硼和锑在硅锗和硅中的扩散
作者:
JM Bonar
;
AFW Willoughby
;
AH Dan
;
BM McGregor
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
33.
THIN FILM THICKNESS MEASUREMENTS USING ADDITIONAL PEAKS IN FTIR TRANSMISSION INTERFEROGRAMS
机译:
在FTIR透射干涉图中使用附加峰的薄膜厚度测量
作者:
GG Gorbunov
;
TS Perova
;
AG Seregin
;
RA Moore
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
34.
VISUALISATION AND FINITE ELEMENT MODELLING OF STRAIN FIELDS IN SILICON DUE TO INTEGRATED CIRCUIT METALLISATION
机译:
集成电路金属化过程中硅应变场的可视化和有限元模拟
作者:
M. OHare
;
P. J. McNally
;
D. Lowney
;
T. Tuomi
;
R. Rantamaeki
;
A.N.Danilewsky
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
35.
SILICON NANOCRYSTALS EMBEDDED IN SiO_2 FOR NONVOLATILE MEMORY APPLICATIONS
机译:
SiO_2内嵌的硅纳米晶用于非易失性存储
作者:
O. Gonzalez-Varona
;
B. Garrido
;
A. Perez-Rodriguez
;
J.R. Morante
;
J. Montserrat
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
36.
STRUCTURAL PROPERTIES AND STRESS ANALYSIS OF SIO_2 THIN FILMS
机译:
SIO_2薄膜的结构特性和应力分析
作者:
G Joyce
;
C Moore
;
TS Perova
;
C Beitia
;
A Kocot
;
K Berwick
;
RA Moore
;
H Byrne
;
JF McGilp
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
37.
SEMI-INSULATING GalnP:Fe AND GaAs:Fe REGROWTH AROUND GaAs/AlGaAs LASER MESAS
机译:
半绝缘GalnP:Fe和GaAs:Fe在GaAs / AlGaAs激光MESAS周围生长
作者:
C Angulo Barrios
;
E Rodriguez Messmer
;
S Lourdudoss
;
M Holmgren
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
38.
SELF-ORGANIZED GeAs NANO-DOTS IN RELAXED Si_(0.75)Ge_(0.25) ALLOY
机译:
松弛的Si_(0.75)Ge_(0.25)合金中的自组织GeAs纳米点
作者:
P.I.Gaiduk
;
A.Nylandsted Larsen
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
39.
PHOTOELECTRIC CONVERSION LOSSES IN GAAS AND GAP SCHOTTKY DIODES
机译:
GAAS和缺口肖特基二极管中的光电转换损耗
作者:
T. V. Blank
;
Yu. A. Goldberg
;
O. V. Konstantinov
;
O. I. Obolensky
;
E. A. Posse
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
40.
PHOTOLUMINESCENCE AND SURFACE STRUCTURA INVESTIGATIONS OF SILICON LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS
机译:
硅低维系统的光致发光和表面结构研究
作者:
TV Torchynska
;
J Aguilar-Hernandez
;
FG Bacarril-Espinoza HA Flores Gonzalez
;
C Mejia-Garcia
;
G Contreras-Puente
;
A Garcia Borquez
;
Y Goldstein
;
A Many
;
J Jedrzejewski
;
BM Bulakh
;
LV Scherbina
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
41.
PROCESSING FACTORS INFLUENCING THE LEAKAGE CURRENT IN SHALLOW JUNCTION DIODES FOR DEEP SUBMICRON CMOS
机译:
深亚微米CMOS浅结型二极管漏电流的影响因素
作者:
LI Grau
;
E Augendre
;
E Simoen
;
R Rooyackers
;
C Claeys
;
G Badenes
;
A Romano-Rodriguez
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
42.
Nanotopography Characterization in Czochralski-grown Silicon Wafer in Hydrogen Annealing
机译:
氢退火中直拉生长硅晶片的纳米形貌表征
作者:
Shinya Kawamoto
;
Koji Izunome
;
Katsuaki Kohtarl
;
Masahiko Kurokawa
;
Takafumi Nakatani
;
Takao Sakamoto
;
Kazuhiko Kashima
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
43.
NOVEL MATERIALS FOR THERMAL VIA INCORPORATION INTO SOI STRUCTURES
机译:
用于通过SOI结构热结合的新型材料
作者:
Paul Baine
;
Khor Yeap Choon
;
H.S.Gamble
;
B.M. Armstrong
;
S.J.N Mitchell
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
44.
ORIENTATION OF DISCOTIC AND FERROELECTRIC LIQUID CRYSTALS IN MACROPOROUS SILICON MATRIX
机译:
大孔硅基质中Discotic和铁电液体晶体的取向
作者:
TS Perova
;
EV Astrova
;
SE Tsvetkov
;
AG Tkachenko
;
JK Vij
;
S Kumar
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
45.
MULTILAYER Au-TiB_2 CONTACT ON GaAs
机译:
GaAs多层Au-TiB_2接触
作者:
TG Kryshtab
;
PM Lytvyn
;
MO Mazin
;
OS Lytvyn
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
46.
Mo implantation in TiSi_2 formation technology: damage recovery and segregation phenomena
机译:
TiSi_2形成技术中的Mo注入:损伤恢复和偏析现象
作者:
G. Pavia
;
S. Alberici
;
F. Cazzaniga
;
G. Queirolo
;
V. Soncini
;
F. Zanderigo
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
47.
High Resolution Diffraction and Fast Routine Evaluation of Graded Hetero-epitaxial Layers
机译:
梯度异质外延层的高分辨率衍射和快速常规评估
作者:
J. F. Woitok
会议名称:
《》
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2000年
48.
SYNCHROTRON X-RAY TOPOGRAPHY AND MICRO-RAMAN SPECTROSCOPY OF BORON DOPED SILICON WAFER USING RAPID THERMAL DIFFUSION
机译:
快速热扩散法对硼掺杂硅晶片进行SYNCHROTRON X射线断层扫描和显微拉曼光谱
作者:
M. Nolan
;
D. Lowney
;
P. J. McNally
;
T.S. Perova
;
A. Moore
;
H. Gamble
;
T. Tuomi
;
R. Rantamaki
;
A.N. Danilewsky
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
49.
TERNARY As(Sb)-Ge-S SEMICONDUCTING GLASSES FOR IR DEVICE APPLICATIONS
机译:
用于红外设备的三元As(Sb)-Ge-S半导体玻璃
作者:
O. SHPOTYUK
;
R. GOLOVCHAK
;
T. KAVETSKTY
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
50.
RADIATION DAMAGE OF N-MOSFETS FABRICATED IN A BICMOS PROCESS
机译:
在BiCMOS工艺中制造的N-MOSFET的辐射损伤
作者:
H. Ohyama
;
K. Kobayashi
;
M. Nakabayashi
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
Y. Takami
;
M. Yoneoka
;
K. Hayama
;
H. Takizawa
;
S. Kohiki
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
51.
LPCVD of Tungsten by selective deposition in Silicon
机译:
在硅中选择性沉积钨的LPCVD
作者:
FX Li
;
BM Armstrong
;
HS Gamble
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
52.
LOCAL STRAIN MEASUREMENT IN Si WITH 100 nm SPATIAL RESOLUTION
机译:
具有100 nm空间分辨率的Si的局部应变测量
作者:
S. Lagomarsino
;
S. Di Fonzo
;
W. Jark
;
C. Giannini
;
L. De Caro
;
A. Cedola
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
53.
EVOLUTION OF DISLOCATIONS IN MBE -GROWN SiGe/Si - STRUCTURES
机译:
MBE生长的SiGe / Si结构中位错的演化
作者:
P.I.Gaiduk
;
A.Nylandsted Larsen
;
J.Lundsgaard Hansen
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
54.
FULLY RELAXED Si_(0.7)Ge_(0.3) BUFFERS GROWN ON PATTERNED SILICON SUBSTRATES FOR HETERO-CMOS TRANSISTORS
机译:
在用于杂化CMOS晶体管的图案化硅衬底上生长的完全弛豫的Si_(0.7)Ge_(0.3)缓冲器
作者:
G Woehl
;
E Kasper
;
T Hackbarth
;
H Kibbel
;
M Klose
;
F Ernst
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
55.
EARLY STAGES OF OXYGEN AGGREGATION AND THERMAL DONORS IN SILICON ANNEALED UNDER HYDROSTATIC PRESSURE
机译:
静水压力下硅退火后的氧聚集早期和热供体
作者:
VV Emtsev Jr
;
CAJ Ammerlaan
;
BA Andreev
;
VV Emtsev
;
GA Oganesyan
;
A Misiuk
;
CA Londos
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
56.
EVALUATION OF THE INFRARED ABSORPTION IN nm THICK HEAVILY BORON DOPED Si_(1-x)Ge_x LAYERS ON SILICON
机译:
硅上厚纳米掺硼Si_(1-x)Ge_x层中红外吸收率的评估
作者:
M.C. Carmo
;
N.A. Sobolev
;
A. Cavaco
;
H. Presting
;
U. Koenig
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
57.
ELECTRICAL DETECTION AND SIMULATION OF STRESS IN SILICON NITRIDE SPACER TECHNOLOGY
机译:
氮化硅间隔物的电学检测与应力模拟
作者:
H.W. van Zeijl
;
S. Mijalkovic
;
L.K. Nanver
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
58.
DLTS AND CONDUCTANCE TRANSIENT INVESTIGATION ON DEFECTS IN ANODIC TANTALUM PENTOXIDE THIN FILMS
机译:
阳极氧化钽五氧化二锡薄膜缺陷的DLTS和电导瞬态研究
作者:
S.Duenas
;
H.Castan
;
J.Barbolla
;
R.R.Kola
;
P.A.Sullivan
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
59.
DISLOCATION BEHAVIOUR IN HIGHLY IMPURITY DOPED Si
机译:
高杂质掺杂硅中的位错行为
作者:
I. Yonenaga
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
60.
DIELECTRIC PROPERTIES OF THIN SOLID FILMS FORMED ON SILICON
机译:
硅薄固体薄膜的介电性能
作者:
PC Fannin
;
TS Perova
;
M Nolan
;
T Giannitis
;
AR Moore
;
HS Gamble
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
61.
AN ELECTRON PARAMAGNETIC RESONANCE STUDY OF DEFECTS IN PECVD SILICON OXIDES
机译:
PECVD硅氧化物中缺陷的电子顺磁共振研究
作者:
R.C. Barklie
;
M. Collins
;
M. Richardson
;
I. Borde
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
62.
A COMPARATIVE STUDY INTO SURFACE ELECTROMIGRATION OF SPUTTERED COPPER PATTERNED USING MILLING OR CMP
机译:
铣削或CMP溅射铜表面腐蚀的比较研究
作者:
ND McCusker
;
VSC Len
;
BHW Toh
;
DW McNeill
;
HS Gamble
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
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2000年
63.
ELECTRICAL AND STRUCTURAL CHARACTERISATION OF DLC FILMS DEPOSITED BY MAGNETRON SPUTTERING
机译:
磁控溅射沉积的DLC薄膜的电学和结构表征
作者:
M. Massi
;
H.S.Maciel
;
C.Otani
;
R.D.Mansano
;
P.Verdonck
会议名称:
《International Conference on Materials for Microelectronics; 20001016-20001017; Dublin; IE》
|
2000年
关键词:
diamond-like carbon;
hydrogenated carbon films;
magnetron sputtering;
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