Physics Department, Technical University of Jassy, 63 D. Mangeron Blvd., Jassy 6600, Romania;
机译:具有垂直于沟道的位置受控晶界的激光结晶多晶硅氧化硅氮化物氧化硅薄膜晶体管的存储特性
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机译:具有负温度依赖性的多晶硅中的晶界限制载流子迁移率:基于陷阱辅助隧穿的通过晶界陷阱的载流子传导模型
机译:基于多晶硅,II-VI化合物和光合色素的多层异质结构对界面晶界对界面晶界的效应
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:基于多晶 - 硅-MOSFET的电容DRAM,具有晶粒边界及其性能