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【6h】

低维锑硫族化合物及异质结的原位合成与光电特性研究

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第1章 绪论

1.1引言

1.2纳米材料分类

1.3异质结的分类、能带排列类型1.3.1异质结的分类

1.4异质结的主要制备方法

1.5异质结的应用1.5.1电子器件

1.6本论文的主要研究目的、意义和研究内容1.6.1研究目的和意义

第2章 Sb2Se3纳米线的气相生长与光电性质

2.1研究背景与意义

2.2实验过程

2.3结果与讨论

2.4本章小结

第3章 一维/二维Sb2Se3/WS2异质结的生长与光电性质

3.1研究背景与意义

3.2实验过程

3.3结果与讨论

3.4本章小结

第4章 二维/二维Sb2O3/WS2异质结的生长与光电性质

4.1研究背景与意义

4.2实验过程

4.3结果与讨论

4.4本章小结

第5章 Sb2Te3/WS2异质结的气相生长与光电性质

5.1研究背景与意义

5.2实验过程

5.3结果与讨论

5.4本章小结

结论与展望

1、主要研究成果与结论

2、后续工作计划与展望

参考文献

附录A攻读学位期间所发表的学术论文

附录B攻读学位期间参与的科研项目

致谢

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著录项

  • 作者

    孙光壮;

  • 作者单位

    湖南大学;

  • 授予单位 湖南大学;
  • 学科 化学
  • 授予学位 博士
  • 导师姓名 段镶锋,段曦东;
  • 年度 2019
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TQ4TB3;
  • 关键词

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