Walter-Schottky Institute, TU Muenchen, D-85748 Garching, Germany;
机译:分层半导体器件中Schroedinger-Poisson方程的有效解
机译:蒙特卡罗器件仿真的3-D半导体泊松方程的有效数值解
机译:SiC半导体各向异性泊松方程的数值解。
机译:半导体器件模拟中Schroedinger-Poisson方程的有效解
机译:使用流体力学平衡方程的半导体器件仿真。
机译:使用紧密结合的π键模型校准的Dirac方程对石墨烯纳米带器件的量子输运模拟
机译:半导体器件方程解的初始瞬态