State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054 China;
Department of Mechanical Engineering The Hong Kong Polytechnic University Hong Kong;
Metal film; Nanoindentation; Hardness; Crystal orientation;
机译:Si-(111)基底上Au / NiCr / Ta多层膜的力学性能和电阻率
机译:偏置电压对长距离磁控溅射制备的AlN薄膜晶体取向的影响
机译:直流磁控溅射法制备掺铝多晶ZnO薄膜的取向分布和载流子传输特性
机译:通过磁控溅射制备的Si-(111)基材上的Au / NiCr / Ta膜的晶体取向和硬度
机译:非垂直入射反应磁控溅射制备的金属氮化物(氮化铝,氮化钛,氮化ha)薄膜的织构演变。
机译:射频直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的透明导电掺铝ZnO多晶薄膜的载流子输运和晶体学取向特征
机译:Si-(111)基底上Au / NiCr / Ta多层膜的力学性能和电阻率