Beijing University of Technology Key Lab of Optoelectronics Technology Ministry of Education;
Gallium nitride; HEMTs; Logic gates; Threshold voltage; Power supplies; Inductance;
机译:中压GaN共源共栅,p-GaN HEMT和GaN MISHEMT的短路研究
机译:增强AlGaN / GaN HEMT击穿电压的多指场板的设计与制作
机译:用于增强AlGaN / GaN HEMT击穿电压的多指状场板的设计与制造
机译:隔离式DC-DC转换器中并联GaN HEMT并联操作的驱动电路设计
机译:电路架构协同设计,通过电压超标扩展低功耗和系统寿命
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:GaN HEMT用于SiC MOSFET的高速栅极驱动电路