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一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法，所述异质结构包括：AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底，以及依次生长在所述AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底中AlGaN层表面的MgO外延薄膜界面层和BaTiO3铁电薄膜栅介质。

公开/公告号CN111916493A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-10

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申请/专利权人中国科学院上海硅酸盐研究所;
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申请/专利号CN201910374122.X
发明设计人李效民;黎冠杰;陈永博;朱秋香;赵俊亮;高相东;
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申请日2019-05-07
分类号H01L29/51(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/285(20060101);
代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);
代理人曹芳玲;郑优丽
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2023-06-19 08:50:28

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-03-18

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/51 专利申请号:201910374122X 申请公布日:20201110

发明专利申请公布后的视为撤回

1. 一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法 [P] . 中国专利： CN111916493A . 2020-11-10
2. 一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件及其制备方法 [P] . 中国专利： CN110634946A . 2019-12-31
3. Enhancement-mode GaN-based HEMT device on Si substrate and manufacturing method thereof [P] . 美国专利： US10580879B2 . 2020-03-03

机译： Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
4. Manufacturing method of the MIS gate structure type HEMT device and MIS gate structure type HEMT device [P] . 日本专利： JP5384029B2 . 2014-01-08

机译： MIS栅结构型HEMT器件的制造方法和MIS栅结构型HEMT器件
5. Self-aligned ITO gate electrode for GaN HEMT device [P] . 美国专利： US9385001B1 . 2016-07-05

机译：用于GaN HEMT器件的自对准ITO栅电极