IBM T. J. Watson Research Center, P.O. Box 218, Yorktown Heights, NY 10598, U.S.A;
机译:SiGe应变在通用多孔硅衬底上的适应性
机译:SiGe在顺应性纳米结构硅上的无错位无外延生长
机译:Ge纳米异质外延对自支撑Si(001)纳米柱的顺应性基底与塑性松弛效应
机译:独立式硅作为符合SiGe标准的衬底
机译:使用多孔硅顺应膜设计硅衬底上的多结太阳能电池
机译:独立式大面积氮化硅膜用于血液替代物中的高毒素清除用于小型血液透析
机译:膜-膜-膜结构的力学理论:在自立式箔膜基底上制造的非晶硅薄膜器件中的曲率和覆盖对准