Res. Center for Adv. Sci. Technol., Univ. of Tokyo, Tokyo;
III-V semiconductors; annealing; elemental semiconductors; gallium arsenide; indium compounds; optical waveguides; plasma materials processing; semiconductor lasers; silicon; I-V characteristics; InP-InGaAs-Si; electrical pumping; heterointegration; high doped silicon wire waveguide; plasma assisted direct bonding; semiconductive properties; silicon hybrid laser;
机译:硅平板和InP / InGaAsP深脊波导组成的混合激光二极管的性能
机译:硅平板和InP / InGaAsP深脊波导组成的混合激光二极管的性能
机译:InP基光子晶体激光器与互补金属氧化物半导体绝缘体上硅线波导的异质集成和精确对准
机译:用于硅混合激光器高掺杂硅丝波泛焊型INP / InGaAs的半导体性能
机译:掺二氧化硅/硅纳米晶多层结构中的发光和缝隙波导效应。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:InGaas / Inp边缘发射激光二极管与硅基板上的波导同轴凹陷集成:IC上激光集成的完整解决方案