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ィオン応答性電界効果トランジスタを用いた ァクティブ細胞膜障害性測定法の開発

机译:利用离子响应场效应晶体管的活性细胞膜损伤测量方法

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摘要

細胞治療やバイオイメ一ジングへの応用を目指した、機 能性分子やナノマテリアルの細胞送達技術についての研究 が盛んに行われている1。これらの材料は細胞毒性を示すこ となく、細胞膜を透過する必要がある。これまでの報告 で、ナノマテリアルの大きさ•形•荷電などが細胞膜透過 に重要な要素であることが明らかになっている2。しかし、 細胞膜透過のメカニズムは厳密に解明されておらず、ナノ マテリアルの細胞膜透過によってどのようなダメ一ジが細 胞膜に起きているのか完全に評価できているとは言い難 い。
机译:为了将其应用于细胞疗法和生物成像1,正在积极进行功能分子和纳米材料的细胞递送技术的研究。这些材料无细胞毒性,必须穿透细胞膜。先前的报道表明,纳米材料的大小,形状和电荷是细胞膜渗透的重要因素2。然而,细胞膜渗透的机理尚未得到严格的阐明,很难说由于纳米材料的细胞渗透而导致的细胞膜损伤的种类无法完全评估。

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