Centro de Investigation y Estudios Avanzados del I.P.N., Dept. Ing.Electrica, Apt. Post. 14-740 Mexico D.F., C.P. 07300, Mexico;
Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of Sciences, H-1047 Budapest, Foti ut 56, Hungary;
机译:GaSb,InGaAsSb和AlGaAsSb表面的硫钝化
机译:GaAs通过表面钝化和载波限制GaAs的光学性质改进MgO膜的限制
机译:发射极尺寸对具有AlGaAs表面钝化层的完全自对准AlGaAs / GaAs HBT的电流增益的影响
机译:通过硫钝化光学增益改善GaAs横向光致抗蚀剂元件
机译:GaAs(001)表面的光学性质的理论分析和半导体的应变依赖性晶格特性
机译:输出电源限制和被动模式锁定GaAs / Algaas量子阱激光器的改进
机译:表面钝化和氧化物封装,以改善靠近表面的单个GaAs量子点的光学性质