Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo, CP 66318, CEP 05315-970, Sao Paulo, SP, Brazil;
manganese; magnetic impurities; ab initio methods;
机译:新型2D结构材料:碳氮化镓(CC-GaN)和硼氮化镓(BN-GaN)异质结构-通过密度泛函理论进行材料设计
机译:多层石墨烯,氮化硼,氮化铝和氮化镓镓类石墨烯结构中的层间相互作用和力学性能:量子力学DFT研究
机译:使用第二代反应性经验键序势的氮化硼,氮化铝和氮化镓纳米管的弹性模量
机译:氮化硼和氮化镓中的锰杂质
机译:用于自旋电子学的室温铁磁锰:氮化镓和锰:氮化镓铟的生长和表征。
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:基于半导体中杂质的共振特性的镓锰氮化物中高T_C铁磁的可能模型
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。