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杨杭生; 邱发敏; 聂安民;
浙江大学,材料科学与工程学系,硅材料国家重点实验室,杭州310027;
立方氮化硼薄膜; 等离子体增强化学气相生长; 红外光谱; 氧杂质;
机译:立方氮化硼中碳和氧杂质的能级及其与空位的相互作用
机译:硅杂质对立方氮化硼薄膜成核和生长的影响
机译:电子回旋共振等离子体辅助分子束外延对Si(111)衬底上生长的六角形InN晶体薄膜中残余氧杂质,立方氧化铟晶粒和氮氧化铟合金晶粒的影响
机译:立方氮化硼晶体晶粒沉积在Si衬底上的氮化硼薄膜的场发射特性
机译:制备多层立方氮化硼薄膜和类sp(3)氮化硼薄膜的各种制造方法的研究。
机译:氮化硼上单层有机薄膜晶体管中的超高迁移率和高效电荷注入
机译:立方氮化硼薄膜生长过程中去除sp2-氮化硼过渡层
机译:立方氮化硼薄膜的表面化学,微观结构和摩擦学性能
机译:立方氮化硼薄膜和立方氮化硼薄膜的制造方法
机译:具有减小的残余压缩应力的制造立方氮化硼薄膜的方法和由此制造的立方氮化硼薄膜
机译:具有减小的压缩残余应力的制造立方氮化硼薄膜的方法和使用相同方法制造的立方氮化硼薄膜的方法
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