Kyoto Institute of Technology, Matsugasaki, Sakyo-ku, Kyoto 606-8585, Japan;
3C-SiC; chemical vapor deposition; hetero-epitaxy; (110); off-axis; twin;
机译:二阶孪晶在(110)Si衬底上异质外延生长(111)3C-SiC
机译:LPCVD法在轴Si(110)衬底上异质外延生长3C-SiC膜并进行表征
机译:通过化学气相沉积在晶格匹配良好的(110)Si衬底上异质外延生长(111)3C-SiC
机译:抑制(111)3C-Si衬底的CVD生长中的双组形成
机译:低能电子显微镜和扫描隧道显微镜研究锗在锗(111)和锗(110)上的生长以及锗(111),锗(110)和锗(001)上的银的生长
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制
机译:通过在Si(111),(110),(100)基材上的3C-SiC薄膜的热转化通过热转化石墨烯 - 硅形成