Venture Laboratory, Kyoto Institute of Technology, Matsugasaki, Sakyo-ku, Kyoto, Japan;
SiC; SiO_2; MOS; CVD; TEOS; interface; D_(it);
机译:后金属化退火改善SiO_2 / 4H-SiC界面性能
机译:通过在N_2中进行高温后氧化退火来改善SiO_2 / 4H-SiC界面质量
机译:电子回旋共振微波氮氢混合等离子体后氧化退火改善SiO_2 / 4H-SiC界面性能
机译:使用TEOS改进4H-SiC / SiO-2 MOS界面的原位发育术后退火过程及其特征研究
机译:通过MOCVD沉积的低温III族氮化物薄膜的原位和生长后研究。
机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:SiC / SiO2在基于N基的4H-SiC MOS电容器中的界面特性,用PECVD制造,没有退火工艺
机译:副产物的GCms和FTIR研究抑制了TEOs基siO(sub 2)CVD中的生长和限速步骤