Research Institure of Electrical Communication, Tohoku University 2-1-1 Katahira Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan;
机译:双栅极和超薄体MOSFET中的直接隧道栅极泄漏电流
机译:(110)取向的超薄双栅MOSFET的应变诱导迁移率提高的大幅降低分析
机译:用于确定22 nm节点双栅极SOI MOSFET中足够的高k电介质的栅极隧穿泄漏的分析模型
机译:通过双栅极MOSFET在双栅极厚度减小通过硅厚度减少
机译:双栅极MOSFET的紧凑模型。
机译:首要原理的砷和锑双栅极MOSFET的性能
机译:具有不同表面和沟道方向的散装,超薄体SOI和双栅极N-MOSFET的低场移动模型 - I:基本原则