机译:具有不同表面和沟道方向的散装,超薄体SOI和双栅极N-MOSFET的低场移动模型 - I:基本原则
机译:具有不同表面和沟道方向的块状,超薄体SOI和双栅极n-MOSFET的低场迁移模型—第一部分:基本原理
机译:具有不同表面和沟道方向的块状,超薄体SOI和双栅极n-MOSFET的低场迁移模型—第二部分:超薄硅膜
机译:具有不同表面和沟道方向的块状和超薄SOI p-MOSFET的低场迁移模型
机译:体MOSFET,超薄体SOI MOSFET和双栅极MOSFET中不同方向的声子限制电子迁移率的量子力学建模
机译:土壤修复中电动学的物理化学和流体动力学方面:基于基本原理和建模方法的研究
机译:细胞色素c在超薄脂质多层膜表面的取向和横向迁移性。
机译:具有高移动通道的15nm栅极长度双栅极N-MOSFET的性能评估:III-V,GE和SI