School of Display and Chemical Engineering, Yeungnam University, 214-1 Dae-dong, Gyeongsan 712-749, Rep. of Korea;
机译:前驱物供应方向对氨基金属有机分子束外延对a面GaN低角入射微通道外延的影响
机译:来自Al0.18Ga0.82N / GaN共振隧穿二极管的可重复低温负电阻,该电阻通过分子束外延在独立式GaN衬底上生长
机译:Al_(0.18)Ga_(0.82)N / GaN共振隧穿二极管通过分子束外延在自立GaN衬底上生长得到的可重复低温负微分电阻
机译:使用Ga(MDTC)_3前体的低温GaN外延
机译:低温金属调制外延生长GaN的光致发光测量。
机译:分子束外延在独立式GaN光栅上InGaN / GaN量子阱的图案生长
机译:优化GaN卤化物气相外延生长的低温GaN缓冲层