Yokohama National University, Yokohama, Kanagawa 240-8501, Japan;
机译:使用单甲基硅烷和氯化氢气体沉积多晶碳化硅薄膜
机译:使用单甲基硅烷和氯化氢气体沉积多晶碳化硅薄膜
机译:以一甲基硅烷为前驱体,改进在150 mm硅衬底上进行多晶碳化硅低压化学气相沉积工艺参数
机译:使用单甲基硅烷和氯化氢气体的多晶碳化硅膜沉积
机译:单晶β-和α(6氢)-碳化硅薄膜的化学气相沉积,表征和器件开发。
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:靠近聚阳亚微晶金刚石薄膜,沉积在硅上:氢键和热增强碳化物形成